сейчас выбран русский язык переключиться на английский
На главную страницу
Контакты
Всё о подготовке статьи для конференции МЭС
Форум конференции МЭС
Новое на сайте
Кодекс этики публикаций
Форум конференции МЭС
   Главная   Контакты   Авторам   Кодекс этики публикаций   Форум  
Личный кабинет



Выход
Преимущества, предоставляемые участникам спонсорской программы конференции МЭС-2018
   Организационный комитет   Программный комитет   Технический комитет   Сборник трудов  
       
Зарегистрировано участников: 324 из 8 стран из 31 города из 100 организаций
 
 
Секция I    Секция II    Секция III    Секция IV    Секция V    Секция VI    Секция VII    Секция VIII    Секция IX    Секция X    Секция XI    Секция XII   
Понедельник
1 Октября
Вторник
2 Октября
Среда
3 Октября
Четверг
4 Октября

Секция II
Вторник 2 Октября 2018
Зал 3 (11 этаж, слева)  14:30−15:30
Сессия 2.1: Моделирование электрических характеристик СБИС - II
Руководители: д.т.н., чл.-корр. РАН Русаков С.Г. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва); к.т.н. Жаров М.М. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва)

1. Рассадин А.Э. (Нижегородское математическое общество), Потапов А.А. (Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН), Ракуть И.В., Тронов А.А. (Нижегородский ГУ им. Н.И. Лобачевского) О возможности хаотических колебаний заряда сегнетоэлектрического конденсатора с отрицательной дифференциальной ёмкостью в колебательном контуре с фрактальным входным напряжением

2. Гурарий М.М., Жаров М.М., Русаков С.Г., Ульянов С.Л. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН), Рассадин А.Э. (Нижегородское математическое общество) Моделирование схем с сегнетоэлектрическими емкостями

3. Бобков П.Г., Брагин К.Р. (АО ПКК Миландр) Разработка RN-моделей аналоговых СФ-блоков для верификации смешанных СнК
Зал 3 (11 этаж, слева)  15:40−16:40
Сессия 2.2: Моделирование электрических характеристик СБИС - I
Руководители: д.т.н., чл.-корр. РАН Русаков С.Г. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва); к.т.н. Жаров М.М. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва)

1. Жук Д.М., Кожевников Д.Ю., Маничев В.Б. (МГТУ им. Н.Э.Баумана) Достоверность и точность моделирования динамических систем

2. Гурарий М.М., Жаров М.М., Русаков С.Г., Ульянов С.Л. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Применение одношаговых методов интегрирования высокого порядка точности для анализа установившихся периодических режимов в интегральных схемах

3. Земляк А.М. (Автономный университет Пуэбла) О минимальном времени процесса оптимизации цепей
Зал 3 (11 этаж, слева)  17:00−18:00
Сессия 2.3: Моделирование электрических характеристик СБИС - III
Руководители: д.т.н., чл.-корр. РАН Русаков С.Г. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва); к.т.н. Жаров М.М. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва)

1. Лялинский А.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Характеризация аналоговых схем на основе облачных технологий

2. Лялинский А.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Оптимизационные процедуры в системе проектирования аналоговых схем

3. Ракитин В.В. (ФГУП "НИИФП им. Ф.В.Лукина", Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Симметризированный мемристорный релаксационный генератор
Зал 3 (11 этаж, слева)  18:10−19:00
Сессия 2.4: Моделирование электрических характеристик СБИС - IV
Руководители: д.т.н., чл.-корр. РАН Русаков С.Г. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва); к.т.н. Жаров М.М. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва)

1. Гурарий М.М., Жаров М.М. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН), Ионов Л.П., Мухин И.И., Тен И.М. (ОАО "НИИМА "Прогресс"), Ульянов С.Л. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Маршрут характеризации и методика моделирования синтезатора частот

2. Макаревич А.Л., Соковнич С.М., Токарь М.С. (Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко) Схемотехника устройств синхронизации в сетях высокоскоростной передачи данных

3. Хохряков Е.И. (АО НПЦ "ЭЛВИС") Восстановление сигнала и параметров Σ-Δ модулятора

Понедельник
1 Октября
Вторник
2 Октября
Среда
3 Октября
Четверг
4 Октября

Официальные партнеры конференции
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН НПК “Технологический центр” Фонд Сколково Фонд инфраструктурных и образовательных программ Intel Corporation

Спонсоры конференции
ОАО "ИНЭУМ им. И.С. Брука" ЗАО "ПКК Миландр" ОАО НПЦ "ЭЛВИС" Megratec-Inline Group

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Разработка сайта - ИППМ РАН
Форум       Обратная связь