сейчас выбран русский язык переключиться на английский
На главную страницу
Контакты
Всё о подготовке статьи для конференции МЭС
Форум конференции МЭС
Новое на сайте
Кодекс этики публикаций
Форум конференции МЭС
   Главная   Контакты   Авторам   Кодекс этики публикаций   Форум  
Личный кабинет



Выход
Преимущества, предоставляемые участникам спонсорской программы конференции МЭС-2018
   Организационный комитет   Программный комитет   Технический комитет   Сборник трудов  
       
Зарегистрировано участников: 324 из 8 стран из 31 города из 100 организаций
 
 
Секция I    Секция II    Секция III    Секция IV    Секция V    Секция VI    Секция VII    Секция VIII    Секция IX    Секция X    Секция XI    Секция XII   
Понедельник
1 Октября
Вторник
2 Октября
Среда
3 Октября
Четверг
4 Октября

Секция IX
Среда 3 Октября 2018
Зал 4 (4 этаж)  12:30−13:30
Сессия 9.1: Проектирование электронной компонентной базы - I
Руководитель: д.т.н., профессор Петросянц К.О. (МИЭМ НИУ ВШЭ, г. Москва)

1. Павлов А.Ю., Гамкрелидце С.А., Томош К.Н., Федоров Ю.В., Павлов В.Ю., Галиев Р.Р., Мальцев П.П. (Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН) Технология изготовления взаимодополняющих транзисторов на нитриде галлия

2. Писаренко И.В., Рындин Е.А. (Южный федеральный университет) Расширенная диффузионно-дрейфовая модель быстродействующих фотодетекторов для оптических межсоединений интегральных схем

3. Хафизов Р.З. (ООО «ГрафИмпресс»), Павлюк М.И. (АО ПКК Миландр), Тимофеев А.Е. (АО «Зеленоградский нанотехнологический центр») Численное моделирование характеристик элемента Холла на основе МДП-транзистора со встроенным каналом
Зал 4 (4 этаж)  14:30−15:30
Сессия 9.2: Проектирование электронной компонентной базы - II
Руководитель: д.т.н., профессор Петросянц К.О. (МИЭМ НИУ ВШЭ, г. Москва)

1. Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Королев М.А., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. (Национальный исследовательский университет «МИЭТ») Сравнительный анализ двухзатворных беспереходного и традиционного МОП-транзисторов средствами TCAD

2. Глушко А.А. (ФГУ "ФНЦ НИИСИ РАН", МГТУ им. Н.Э.Баумана), Бабкин С.И., Амирханов А.В. (ФГУ "ФНЦ НИИСИ РАН"), Зинченко Л.А., Макарчук В.В. (МГТУ им. Н.Э.Баумана) Вопросы проектирования LDMOS-транзисторов, работающих при повышенном напряжении питания

3. Тимошенков В.П., Хлыбов А.И., Родионов Д.В., Ефимов А.Г., Чаплыгин Ю.А. (Национальный исследовательский университет «МИЭТ») Исследование теплового режима СВЧ усилителей мощности X диапазона
Зал 4 (4 этаж)  15:40−16:40
Сессия 9.A: Состояние работ в области TCAD и SPICE моделирования элементов БиКМОП БИС с учетом влияния радиации и температуры
Докладчик: д.т.н., профессор Петросянц К.О. (МИЭМ НИУ ВШЭ, г. Москва)
Зал 4 (4 этаж)  17:00−18:00
Сессия 9.3: Проектирование электронной компонентной базы - III
Руководитель: д.т.н., профессор Петросянц К.О. (МИЭМ НИУ ВШЭ, г. Москва)

1. Харитонов И.А. (Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики») SPICE моделирование КМОП ИС для экстремальных применений с помощью компактных «электро-термо-рад» моделей

2. Петросянц К.О. (МИЭМ НИУ ВШЭ), Исмаил-заде М.Р., Самбурский Л.М., Харитонов И.А. (Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики») SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C

Понедельник
1 Октября
Вторник
2 Октября
Среда
3 Октября
Четверг
4 Октября

Официальные партнеры конференции
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН НПК “Технологический центр” Фонд Сколково Фонд инфраструктурных и образовательных программ Intel Corporation

Спонсоры конференции
ОАО "ИНЭУМ им. И.С. Брука" ЗАО "ПКК Миландр" ОАО НПЦ "ЭЛВИС" Megratec-Inline Group

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Разработка сайта - ИППМ РАН
Форум       Обратная связь