The Design of Current Memory Elements Based on the Mathematical Tool of Linear Algebra

 
Butyrlagin N.V. (Don State Technical University), Chernov N.I. (), Prokopenko N.N. (Don State Technical University, IPPM RAS), Yugai V.Ya. ()
 
Abstract - The fundamentals of the design of memory elements (ME) for storing current digital signals are considered. A non-traditional methodology for the synthesis of MEs is proposed, based on the mathematical tool of linear algebra. Linear equations and CMOS circuitry of the main types of current MEs are presented. It is shown that the logic elements (LE) suitable for constructing two-valued MEs are schemes realizing linear analogues of the “Sheffer stroke” operations (2OR-NOT), “dual stroke” (2AND-NOT) , “inhibition on x2”, “implication from x1 to x2”, “modulo 2 sums” or “logical equivalence operations”, which are synthesized using truncated difference and comparison logic-arithmetic operations. It is established that the comparison operation requires larger element costs for circuit implementation, than a “truncated difference” operation, but has better accuracy characteristics. In this case, the circuits of the LE of one type can differ in the directions of the input and output currents (“sink” or “source”). It is recommended to use the considered LEs as the basic components of two-valued current trigger circuits. Besides, the linear analogues of the “dual stroke” and “inhibition on x2” operations, which are recommended for use in the construction of two-valued MEs has the simplest circuit realization. Schematic implementations of “comparison” and “Sheffer stroke”, “dual stroke”, “inhibition on x2” operations based on differential stages (DS) and special "folded" cascodes, performing the function of converting the input current quanta into the differential voltage of the DC are investigated. The main area of application of the considered current memory elements is the processing of sensor signals with current output, as well as specialized digital information processing devices in which the application of traditional potential LEs is difficult, or is associated with a deterioration in reliability in severe operating conditions. Microchips with the considered principle of operation are not currently produced.

Keywords - current logic operations, current memory element, current triggers, linear representation of logical operations, truncated difference and comparison operations.

Проектирование токовых элементов памяти на основе математического аппарата линейной алгебры

 
Бутырлагин Н.В. (Донской государственный технический университет, г. Ростов-на-Дону), Чернов Н.И. (Южный федеральный университет, г. Таганрог), Прокопенко Н.Н. (Донской государственный технический университет, Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Шахты), Югай В.Я. (Южный федеральный университет, г. Таганрог)
 
Аннотация - Рассмотрены основы проектирования элементов памяти (ЭП) для запоминания токовых цифровых сигналов. Предлагается нетрадиционная методика синтеза ЭП, в основу которой положен математический аппарат линейной алгебры. Представлены общие уравнения и КМОП схемотехника основных типов токовых ЭП. Показано, что логическими элементами, пригодными для построения двузначных ЭП, являются схемы, реализующие операции «штрих Шеффера», «стрелка Пирса», «запрет по х2», «импликация от х1 к х2», «сумма по модулю 2» или «логическая равнозначность». Предлагаемые ЭП рекомендуется использовать в качестве базовых компонентов двузначных токовых триггерных схем.

Ключевые слова - токовые логические операции, токовый элемент памяти, токовые триггеры, линейное представление логических операций, операции усеченной разности и сравнения.