сейчас выбран русский язык переключиться на английский
На главную страницу
Контакты
Всё о подготовке статьи для конференции МЭС
Форум конференции МЭС
Новое на сайте
Кодекс этики публикаций
Форум конференции МЭС
   Главная   Контакты   Авторам   Кодекс этики публикаций   Форум  
Личный кабинет



Выход
Преимущества, предоставляемые участникам спонсорской программы конференции МЭС-2018
   Организационный комитет   Программный комитет   Технический комитет   Сборник трудов  

Новости

11 Сентября 2018

Уважаемые коллеги!
Приглашаем всех желающих (вход свободный, регистрация не требуется) на следующие мероприятия конференции:

  • понедельник 1 октября: Презентация научно-технических достижений российских и зарубежных компаний, а также организаций, способствующих развитию микроэлектроники и информационных технологий в России;
  • вторник 2 октября: утреннее пленарное заседание.
Ждём вас!


       
Зарегистрировано участников: 324 из 8 стран из 31 города из 100 организаций
 
 
Секция I    Секция II    Секция III    Секция IV    Секция V    Секция VI    Секция VII    Секция VIII    Секция IX    Секция X    Секция XI    Секция XII   
Понедельник
1 Октября
Вторник
2 Октября
Среда
3 Октября
Четверг
4 Октября
Четверг 4 Октября 2018

  Конференц-зал (3 этаж)Зал 2 (11 этаж, слева)Зал 3 (11 этаж, справа)Зал 4 (4 этаж)
10:00−11:00 Сессия 11.1: Решение сетевых и алгоритмических задач - I
Руководитель: к.т.н. Романов А. (Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», г. Москва)

1. Щеголева М.А., Романов А. (Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики») Разработка алгоритма маршрутизации в сетях на кристалле с топологией мультипликативный циркулянт

2. Соловьев Р.А., Кустов А.Г., Рухлов В.С. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Методика реализации нейронной сети для распознания рукописных цифр в FPGA на основе вычислений с фиксированной точкой

3. Матюшкин И.В., Заплетина М.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Клеточно-автоматный вычислительный параллелизм элементарных матричных операций
Сессия 3.1: Автоматизация топологического проектирования в САПР СБИС - I
Руководитель: д.т.н., доцент Марченко А.М. (Mentor Graphics, г. Москва)

1. Малинаускас К.К. (Сильвако) Метод экстракции паразитных сопротивлений для раннего анализа цепей питания с нерегулярной топологией

2. Давыдов В.В. (Сильвако) Метод многоуровневых регулярных сеток для индексации геометрических данных

3. Андреев А.Е. (eASIC Corporation), Русаков А.С. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН), Яхонтов А. (eASIC Corporation) Аналитический алгоритм глобального размещения структурированных схем с учетом временных задержек

4. Лебедев Б.К., Лебедев О.Б. (Инженерно-Технологическая Академия Южного Федерального Университета) Гибридный биоинспирированный алгоритм формирования линеек стандартных ячеек при проектировании топологии СБИС
Сессия 10.1: Проектирование радиационно-стойких СБИС и элементов для космической техники - I
Руководитель: д.т.н., проф. Чумаков А.И. (Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва)

1. Согоян А.В. (Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", АО "ЭНПО СПЭЛС"), Чумаков А.И. (Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"), Смолин А.А. (Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ «МИФИ») Оценка частоты одиночных радиационных эффектов для современных СБИС

2. Чумаков А.И. (Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"), Бобровский Д.В. (ЭНПО СПЭЛС, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"), Печенкин А.А. (АО "ЭНПО СПЭЛС"), Савченков Д.В. (Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ «МИФИ»), Сорокоумов Г. (АО "ЭНПО СПЭЛС") Нестабильные одиночные тиристорные эффекты в КМОП ИС

3. Катунин Ю.В. (ФГУ "ФНЦ НИИСИ РАН"), Стенин В.Я. (Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ") Оценка на основе TCAD моделирования устойчивости к сбоям элементов на базе ячеек STG DICE для 65-нм КМОП блоков ассоциативной памяти
Сессия 12.1: Физические явления в материалах микроэлектроники и их использование для разработки новой элементной базы - I
Руководитель: д.т.н., профессор Скиданов В.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва)

1. Синявский Э.П. (Институт прикладной физики АН РМ), Соковнич С.М. (Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко) Энергия связанного состояния примесного центра нулевого радиуса в квантовой проволоке во внешних электрическом и магнитном полях

2. Островская Н.В., Скворцов М.С., Скиданов В.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН), Юсипова Ю.А. (Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Моделирование динамики намагниченности в трехслойных ферромагнитных структурах с закрепленной границей

3. Островская Н.В., Скиданов В.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН), Юсипова Ю.А. (Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Динамика намагниченности свободного слоя спинового вентиля при воздействии магнитных полей, перпендикулярных и параллельных плоскости слоев
11:00−11:15 Технический перерыв
11:15−12:15 Сессия 11.2: Решение сетевых и алгоритмических задач - II
Руководитель: к.т.н. Романов А. (Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», г. Москва)

1. Слинкин Д.И. (ФГУ "ФНЦ НИИСИ РАН") Тестирование производительности ПЛИС-прототипа встроенного контроллера Гигабитного Ethernet при работе с TCP

2. Аряшев С.И., Зубковский П.С., Цветков В.В. (ФГУ "ФНЦ НИИСИ РАН") Реализация функции копирования массивов на векторном сопроцессоре

3. Шеблаев М.В. (eASIC Corporation) Алгоритм генерации начальных разбиений для решения задачи сбалансированного разбиения гиперграфа

4. Глушань В.М. (Инженерно-Технологическая Академия Южного Федерального Университета), Красюк О.И., Дубровский И.А. (Южный федеральный университет) Экспериментальный проект подсистемы конструкторского проектирования СБИС на основе иерархической клиент-серверной архитектуры
Сессия 3.2: Автоматизация топологического проектирования в САПР СБИС - II
Руководитель: д.т.н., доцент Марченко А.М. (Mentor Graphics, г. Москва)

1. Железников Д.А., Заплетина М.А., Хватов В.М. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Исследование механизма разрыва и перетрассировки на этапе топологического синтеза в базисе реконфигурируемых систем на кристалле

2. Рыжова Д.И., Васильев Н.О., Жукова Т.Д. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Алгоритм межвентильного ресинтеза на транзисторном уровне для автоматизированного проектирования микроэлектронных схем

3. Гаврилов С.В., Железников Д.А., Чочаев Р., Хватов В.М. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Алгоритм декомпозиции на основе метода имитации отжига для реконфигурируемых систем на кристалле
Сессия 10.2: Проектирование радиационно-стойких СБИС и элементов для космической техники - II
Руководитель: д.т.н., проф. Чумаков А.И. (Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва)

1. Власов А.И., Милёшин С., Цивинская Т.А., Шахнов В.А. (МГТУ им. Н.Э.Баумана) Радиационная стойкость МЭМС-сенсоров и методика ее оценки

2. Галимов А. (Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"), Горбунов М.С. (ФГУ "ФНЦ НИИСИ РАН"), Зебрев Г.И. (Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ") Метод разбиения сечения сбоев по кратности для прогнозирования частот множественных сбоев в космосе
Сессия 12.2: Физические явления в материалах микроэлектроники и их использование для разработки новой элементной базы - II
Руководитель: д.т.н., профессор Скиданов В.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва)

1. Пугачёв А.А. (АО "Научно-производственное предприятие "Пульсар", Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН), Иванова Г.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Модель функции передачи модуляции фоточувствительных СБИС при воздействии ОЗЧ

2. Дацук А.М., Балашов А.М. (IHP), Тимошенков В.П., Крупкина Т.Ю. (Национальный исследовательский университет «МИЭТ») Электротермическое моделирование источника опорного напряжения на основе ширины запрещенной зоны кремния

3. Калманович В.В., Степович М.А. (Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского) О совместном применении матричного метода и аппарата обобщённых степеней Берса для математического моделирования процессов тепломассопереноса в полупроводниковых материалах электронной техники
12:15−12:30 Технический перерыв
12:30−13:30 Заключительное заседание
Четверг 4 Октября 2018
Понедельник
1 Октября
Вторник
2 Октября
Среда
3 Октября
Четверг
4 Октября

Официальные партнеры конференции
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН НПК “Технологический центр” Фонд Сколково Фонд инфраструктурных и образовательных программ Intel Corporation

Спонсоры конференции
ОАО "ИНЭУМ им. И.С. Брука" ЗАО "ПКК Миландр" ОАО НПЦ "ЭЛВИС" Megratec-Inline Group

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Разработка сайта - ИППМ РАН
Форум       Обратная связь