Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Тематика

Листинг работ с разбиеним по тематике докладов. Нажмите на название работы для того, чтобы увидеть ее подробное описание. Выборку можно ограничить, указав диапазон годов проведения конференции, или выбрав одну конкретную тему.

Выбрать: с по год
 
Все темы

Генетические алгоритмы в САПР СБИС
Исследование магнитных свойств материалов
Клеточные автоматы
Методы высокоуровневого моделирования
Методы и алгоритмы автоматизации топологического проектиров...
Методы логического синтеза и функционально-логического моде...
Методы моделирования электрических характеристик СБИС
Методы приборно-технологического моделирования СБИС
Методы цифровой обработки информации и цифровые фильтры
Методы электро-теплового моделирования
Модели приборов для схемотехнического моделирования
Моделирование каналов передачи данных
Нетрадиционные вычислительные системы
Проблемы разработки АЦП
Проблемы разработки сенсорной микросхемотехники
Проектирование СБИС сигнальных процессоров
Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков...
Проектирование микро-электромеханических систем
Проектирование помехоустойчивых систем
Проектирование приборов наноэлектроники
Проектирование приборов наноэлектроники на базе джозефсонов...
Проектирование радиационно-стойких СБИС
Проектирование систем на кристалле (СнК) и IP-блоков
Проектирование технологических процессов
Проектирование фотоприёмных СБИС
Проектирование цифровых функциональных блоков СБИС
Проектирование элементной базы для космической и навигацион...
Проектирование элементов СБИС
Проектирование элементов памяти
Выборка по тематике: Методы приборно-технологического моделирования СБИС
Выбраны работы: с 2005 по 2018 год
В выборке - 57 работ
STАИКМНОПРСТФЧЭ
S 
 
SPICE-модели оптоэлектронных элементов для расчета фоточувствительных КМОП-ФД БИС
T 
 
TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов
TCAD-моделирование элементов фоточувствительных ПЗС СБИС
TCAD-модель фотоприемной ПЗС-ячейки с вертикальным антиблумингом
А 
 
Анализ влияния формы мембраны на механическую прочность и стабильность параметров МЭМС-сенсоров давления
Анализ динамических процессов распространения помех в подложках интегральных элементов методами приборно-технологического моделирования
И 
 
Использование САПР TCAD в проектировании планарных мощных МОП-транзисторов, имеющих повышенное пробивное напряжение в закрытом состоянии
Исследование быстродействия SiGe ГБТ при переходе к суб-100 нм топологическим размерам
Исследование влияния ионизирующих излучений на характеристики гетероструктурных полевых транзисторов на нитриде галлия
Исследование влияния конструктивно-технологических параметров мощных КНИ МОП-транзисторов на границы области безопасной работы приборов
Исследование влияния конструктивно-технологических факторов на чувствительность магнитотранзистора методами приборно-технологического моделирования
Исследование влияния разброса технологических параметров СБИС на стойкость к эффектам накопленной дозы радиации с помощью средств приборно-технологического моделирования
Исследование влияния топологии КМОП-совместимого элемента Холла на его магниточувствительность
Исследование и оптимизация технологических параметров формирования логической ячейки на структуре "кремний на изоляторе"
Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования
Исследование характеристик МДП-транзисторов с использованием одномерной модели
Исследование электрических характеристик КМОП-КНИ- структур с проектными нормами 0.5 мкм для высокотемпературной электроники
Исследование ячейки КМОП-совместимого ЭСППЗУ
К 
 
Критерии выбора моделей при расчете приборных характеристик субмикронных транзисторных структур
М 
 
Математическое моделирование распределения температуры в тепловых микросенсорах
Математическое моделирование электромиграционных отказов межуровневых соединений БИС
Методика анализа электромиграции проводящих шин с помощью ускоренных измерений тестовых структур в составе пластин
Метод приборно-технологического моделирования свет-сигнальных характеристик элементов КМОП-фотодиодных СБИС
Моделирование плазмохимической технологии травления в ВЧ разряде
Моделирование плазмохимической технологии травления кремния в смеси CF4/H2
Моделирование процессов равновесной и быстрой термообработок при формировании активных областей субмикронных и нанометровых ИС
Моделирование термоэлектрического генератора на основе МЭМС технологии
Моделирование технологического процесса формирования катодно-сеточного узла и его эмиссионных свойств
Моделирование транзисторных структур силовой электроники
Моделирование SEU сбоев в субмикронных КНИ-КМОП ячейках памяти с учетом температурных эффектов
Модель расчета I-V характеристик наноразмерного SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата
Модель учета рельефа границы раздела Si/SiO2 наноразмерного МДП-транзистора в среде TCAD Sentaurus
Н 
 
Настройка численной модели для исследования транзисторных МОП-структур КНИ-типа с проектными нормами 180 нм в среде TCAD
О 
 
Одномерное приборно-технологическое моделирование элементов интегральных схем с использованием электронных таблиц
Оптимизация напряжения пробоя в IGBT структуре по ее конструктивным и технологическим параметрам
Оптимизация технологических режимов изготовления биполярных гетеротранзисторов
Особенности расчёта приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN в САПР приборно-технологического моделирования
П 
 
Перспективы использования SiGe БиКМОП технологии для создания СВЧ микросхем
Погрешность и адекватность аналитического моделирования распределения температуры в тепловых микросистемах
Приборно-технологические и схемотехнические модели транзисторов БиКМОП СБИС, изготовленных по кремний-германиевой технологии
Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия
Приборно-технологическое моделирование SiGe биполярных и МОП транзисторных структур СБИС
Принципы проектирования и моделирование микротермомеханических приёмников ИК-изображения с оптическим считыванием
Проблемы использования приборно-технологического моделирования как инструмента проектирования и пути их решения
Программный пакет для приборно-технологического моделирования спинтронных приборов на основе магнитных туннельных переходов
Р 
 
Разработка и моделирование субмикронных PDCFET транзисторов
Разработка корпуса многоядерного процессора на основе керамической коммутационной платы
Разработка методики анализа дефектности подзатворного диэлектрика на тестовых структурах в составе пластин
Разработка оптимальной конструкции датчика магнитного поля на основе латерального магнитотранзистора с помощью средств приборно-технологического моделирования
Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной частотой 10 ГГц и более
С 
 
Сквозное статистическое проектирование технологии/прибора/схемы/системы
Т 
 
Терморезистивный преобразователь скорости потока газа мембранного типа
Технология плазмо-каталитического роста углеродных наноструктур: особенности и применение в автоэмиссионных схемах
Ф 
 
Физико-топологическое моделирование фотодетекторов интегральных систем оптической коммутации на основе материалов типа AIIIBV с учетом зависимостей подвижностей носителей заряда от напряженности электрического поля
Ч 
 
Численная модель полупроводниковых приборов с учетом тепловых эффектов
Численное моделирование пропускания солнечного излучения в кремниевых фотовольтаических элементах с текстурированной поверхностью
Э 
 
Экстракция параметров масштабируемой модели МОП-транзистора

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН