Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Петросянц К.О.

МИЭМ НИУ ВШЭ

Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы для того, чтобы получить по ней полную информацию.

2005 
 Петросянц К.О., Рябов Н.И., Казаков В.И., Макеев В.В., Русаков Д.Н., Чиркин Г.К.
Моделирование транзисторных структур силовой электроники
 Черный А.И., Богатырев В.Н., Поварницына З.М., Петросянц К.О., Харитонов И.А., Карелин А.А.
Проектирование и разработка ОУ на основе КМОП КНИ технологии
2006 
 Петросянц К.О., Козынко П.А.
Совершенствование подсистемы теплового моделирования печатных плат в САПР Mentor Graphics
 Петросянц К.О., Ширабайкин Д.Б.
Математическое моделирование электромиграционных отказов межуровневых соединений БИС
 Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеробиполярного транзистора
2008 
 Харитонов И.А., Петросянц К.О., Орехов Е.В., Ятманов А.П., Самбурский Л.М.
Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия
 Петросянц К.О., Рябов Н.И., Харитонов И.А., Козынко П.А.
Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics
 Петросянц К.О.
Тепловое моделирование компонентов МЭС: от субмикронных элементов СБИС до сложных электронных блоков
 Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора
2010 
 Петросянц К.О., Рябов Н.И.
Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС
2012 
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П., Воеводин А.В.
Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования
 Грязнов Е.Г., Мансуров А.Н., Петросянц К.О.
Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Адонин А.С., Сидоров А.В., Александров А.В.
Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов
2016 
 Петросянц К.О., Кожухов М.В.
TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов
 

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН