Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

АО "Научно-производственное предприятие "Пульсар"

Листинг всех работ организации. Нажмите на название работы для того, чтобы получить по ней полную информацию.

2005 
 Пугачев А.А.
Математическое моделирование элементов фоточувствительных СБИС
2006 
 Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., Ковбасюк Н.В., Крутчинский С.Г., Савченко Е.М.
Методы компенсации основных составляющих выходной емкости транзисторов в аналоговых микросхемах
 Будяков А.С., Прокопенко Н.Н., Старченко Е.И., Савченко Е.М., Крутчинский С.Г.
Опыт разработки и моделирования аналоговых микросхем с предельными параметрами на базе российских биполярных технологий
 Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., Савченко Е.М., Корнеев С.В.
Предельные динамические параметры операционных усилителей с обратной связью по напряжению и усилителей с "токовой обратной связью" в линейном и нелинейном режимах
 Пугачев А.А., Осочкин С.С.
Физико-топологическое моделирование функции передачи модуляции фоточувствительных СБИС
2008 
 Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., Савченко Е.М.
Операционные усилители с обобщенной токовой обратной связью
 Андреев П.П., Пугачев А.А., Ходош Л.С.
Проект внутрикристального процессора для обработки видеопотока на основе российского SIMD вычислителя ПАРС
 Савченко Е.М.
Широкополосный интегральный СВЧ удвоитель частоты
 Пугачев А.А., Маклакова О.В., Кушнир А.А.
TCAD-моделирование элементов фоточувствительных ПЗС СБИС
2010 
 Прокопенко Н.Н., Будяков П.С., Серебряков А.И.
Архитектура СВЧ дифференциальных операционных усилителей с парафазным выходом
 Пугачев А.А., Стемпковский А.Л.
КМОП-фотоприемный элемент с высокой эффективностью сбора фотогенерированных носителей заряда
 Дроздов Д.Г., Савченко Е.М., Зубков А.М.
Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной частотой 10 ГГц и более
 Будяков А.С., Савченко Е.М., Пронин А.А., Козынко П.А.
СВЧ монолитная интегральная схема усилителя мощности на основе кремниевой технологии с выходной мощностью 1 Вт на частоте 800 МГц
 Прокопенко Н.Н., Серебряков А.И., Будяков П.С.
Способ повышения стабильности нуля аналоговых микросхем с высокоимпедансным узлом в условиях температурных и радиационных воздействий
2012 
 Прокопенко Н.Н., Будяков П.С., Серебряков А.И.
Автономные параметры транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3 в условиях радиационных и температурных воздействий
 Прокопенко Н.Н., Будяков П.С., Пахомов И.В.
Методы повышения коэффициента усиления классических каскадов на биполярных транзисторах при малых напряжениях питания
 Дроздов Д.Г., Савченко Е.М., Сиомко В.О.
Особенности расчёта приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN в САПР приборно-технологического моделирования
 Будяков П.С., Будяков А.С., Прокопенко Н.Н.
Сравнительный анализ активных SiGe смесителей миллиметрового диапазона
 Костюков Е.В., Поспелова М.А., Пугачев А.А.
TCAD-модель фотоприемной ПЗС-ячейки с вертикальным антиблумингом
2014 
 Пугачев А.А., Иванова Г.А.
Метод моделирования функции передачи модуляции матричных фотоприемных СБИС
 Дроздов Д.Г., Савченко Е.М.
Проектирование технологических процессов изготовления кремний-германиевых гетеробиполярных транзисторов
2016 
 Кононов А., Пугачёв А.А.
Метод приборно-технологического моделирования свет-сигнальных характеристик элементов КМОП-фотодиодных СБИС
2018 
 Пугачёв А.А., Иванова Г.А.
Модель функции передачи модуляции фоточувствительных СБИС при воздействии ОЗЧ
 Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н., Будяков П.С.
Проектирование компараторов напряжений на базе элементов радиационно-стойкого низкотемпературного BiJFET базового матричного кристалла МН2ХА030
 

Copyright © 2009-2019 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН