Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Листинг всех работ организации. Нажмите на название работы для того, чтобы получить по ней полную информацию.

2006 
 Алиева Н.В., Белоус А.И., Малышев В.С., Сорока С.А., Усов Г.И., Шведов С.В., Бондаренко В.П., Долгий Л.Н., Лабунов В.А., Мудрый А.В.
Исследование БИС СОЗУ 8К на основе КНИ структур
2008 
 Долгий Л.Н., Ефремов В.А., Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р.
Исследование и оптимизация технологических параметров формирования логической ячейки на структуре "кремний на изоляторе"
 Комаров Ф.Ф., Величко О.И., Заяц Г.М., Комаров А.Ф., Миронов А.М., Цурко В.А.
Моделирование процессов равновесной и быстрой термообработок при формировании активных областей субмикронных и нанометровых ИС
 Костров А.И., Стемпицкий В.Р., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е.
Модель магнитного туннельного перехода для систем схемотехнического проектирования
 Белоус А.И., Красиков М.Г., Кулешов А.А., Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р., Сякерский В.С.
Сквозное статистическое проектирование технологии/прибора/схемы/системы
2010 
 Костров А.И., Данилюк А.Л., Стемпицкий В.Р., Борисенко В.Е.
Динамическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления
 Малышев В.С., Павлов П.Г., Стемпицкий В.Р.
Предварительная обработка экспериментальных данных в статистическом проектировании изделий микроэлектроники
 Нелаев В.В., Красиков М.Г., Божаткин О.А., Кунцевич В.В., Сякерский В.С.
Экстракция параметров масштабируемой модели МОП-транзистора
2012 
 Ловшенко И.Ю., Нелаев В.В., Шелибак И.М., Турцевич А.С.
Оптимизация напряжения пробоя в IGBT структуре по ее конструктивным и технологическим параметрам
 

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН