Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеробиполярного транзистора

Авторы
 Петросянц К.О.
 Торговников Р.А.
Год публикации
 2006
УДК
 621.38

Аннотация
 В статье дан обзор современных моделей биполярного транзистора и проведен анализ этих моделей с целью выбора оптимальной для моделирования SiGe ГБТ и расчета сверхбыстродействующих схем на их основе.
Ключевые слова
 схемотехнические модели SiGe гетеробиполярного транзистора
Ссылка на статью
 Петросянц К.О., Торговников Р.А. Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеробиполярного транзистора // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2006. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2006. С. 184-190.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2006/33.pdf

Copyright © 2009-2021 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН