Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Перспективы использования SiGe БиКМОП технологии для создания СВЧ микросхем

Авторы
 Малышев И.В.
 Ионов П.Л.
 Репин В.В.
Год публикации
 2006
УДК
 621.38

Аннотация
 В докладе приведен краткий обзор развития нового технологического процесса – БиКМОП технологии с использованием SiGe. Рассмотрены основные положения и физические эффекты, используемые при введении SiGe в стандартный БиКМОП процесс, преимущества новой технологии, возможные области применения, а также перспективы развития этой технологии. Приведены некоторые геометрические и электрические параметры типовых элементов.
Ключевые слова
 SiGe БиКМОП технологии, СВЧ микросхемы
Ссылка на статью
 Малышев И.В., Ионов П.Л., Репин В.В. Перспективы использования SiGe БиКМОП технологии для создания СВЧ микросхем // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2006. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2006. С. 191-193.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2006/34.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН