Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Компенсация паразитных емкостей активных элементов в электронных устройствах

Авторы
 Крутчинский С.Г.
 Прокопенко Н.Н.
 Старченко Е.И.
Год публикации
 2006
УДК
 621.37

Аннотация
 В рамках обобщенной структуры усилителей с биполярными и полевыми транзисторами найдены достаточные и единственные условия собственной компенсации влияния паразитных емкостей активных компонентов. Сформулированный принцип не увеличивает чувствительность основных параметров. Рассматривается алгоритм синтеза принципиальных схем. Приводится демонстрирующий эффективность метода пример построения принципиальной схемы.
Ключевые слова
 система на кристалле, собственная компенсация влияния паразитных емкостей, чувствительность параметров
Ссылка на статью
 Крутчинский С.Г., Прокопенко Н.Н., Старченко Е.И. Компенсация паразитных емкостей активных элементов в электронных устройствах // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2006. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2006. С. 194-199.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2006/35.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН