Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Методы компенсации основных составляющих выходной емкости транзисторов в аналоговых микросхемах

Авторы
 Прокопенко Н.Н.
 Будяков А.С.
 Ковбасюк Н.В.
 Крутчинский С.Г.
 Савченко Е.М.
Год публикации
 2006
УДК
 621.37

Аннотация
 Рассматривается схемотехнические методы компенсации емкости на подложку Сп и емкости коллектор-база Скб транзисторов аналоговых устройств. Получены условия, при которых их доминирующее влияние на частотную характеристику типовых усилительных каскадов может быть ослаблено в 5 ÷ 10 раз.
Ключевые слова
 аналоговые микросхемы, расширение полосы пропускания, емкость на подложку, емкость коллектор-база
Ссылка на статью
 Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., Ковбасюк Н.В., Крутчинский С.Г., Савченко Е.М. Методы компенсации основных составляющих выходной емкости транзисторов в аналоговых микросхемах // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2006. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2006. С. 223-228.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2006/40.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН