Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Использование фотослоев для формирования биполярных транзисторов в базовом КМОП-процессе

Авторы
 Адамов Ю.Ф.
 Горшкова Н.М.
 Крупкина Т.Ю.
Год публикации
 2006
УДК
 621.383

Аннотация
 В работе рассмотрены возможности создания биполярных транзисторов в стандартном КМОП – процессе, дополненном оптическими слоями
N – типа. На основании результатов моделирования
показана возможность получения транзисторов с
удовлетворительными параметрами. Получены
расчетные и экспериментальные характеристики
нескольких конструктивных вариантов npn
транзисторов, выявлена зависимость коэффициента
усиления от ширины эмиттера.
Ключевые слова
 Биполярный транзистор, КМОП-процесс, профиль легирования, оптический слой
Ссылка на статью
 Адамов Ю.Ф., Горшкова Н.М., Крупкина Т.Ю. Использование фотослоев для формирования биполярных транзисторов в базовом КМОП-процессе // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2006. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2006. С. 421-425.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2006/77.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН