Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Приборно-технологические и схемотехнические модели транзисторов БиКМОП СБИС, изготовленных по кремний-германиевой технологии

Авторы
 Торговников Р.А.
Год публикации
 2008
УДК
 621.38

Аннотация
 В работе рассмотрены вопросы приборно-технологического и схемотехнического моделирования ГБТ и ГМОПТ на основе SiGe.
Ключевые слова
 модели транзисторов, БиКМОП СБИС, кремний-германиевая технология
Ссылка на статью
 Торговников Р.А. Приборно-технологические и схемотехнические модели транзисторов БиКМОП СБИС, изготовленных по кремний-германиевой технологии // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 539-548.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2008/102.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН