Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Логико-временной анализ надежности цифровых СБИС с учетом эффектов деградации NBTI и HCI

Авторы
 Гудкова О.Н.
 Гаврилов С.В.
Год публикации
 2008
УДК
 621.3.049.77:658.512

Аннотация
 На нынешнем этапе развития КМОП технологий на надежность цифровых СБИС сильно влияют такие деградационные факторы как NBTI (Negative Bias Temperature Instability) и HCI (Hot Carrier Injection), оказывающие существенное влияние на срок службы полупроводниковых приборов. В некоторых новых версиях промышленных САПР (например, Cadence - Ultrasim) появились средства анализа влияния этих факторов на надежность схемы на электрическом уровне. Однако, реальный срок службы в значительной степени зависит от логики работы СБИС, поэтому создание средств анализа надежности на логическом уровне является актуальной задачей. В данной работе предпринята попытка решить обозначенную проблему на основе
реального анализа логических состояний узлов и транзисторов.
Ключевые слова
 Температурная нестабильность при отрицательном смещении, инжекция горячих носителей, статический временной анализ, пороговое напряжение
Ссылка на статью
 Гудкова О.Н., Гаврилов С.В. Логико-временной анализ надежности цифровых СБИС с учетом эффектов деградации NBTI и HCI // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 30-35.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2008/03.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН