Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Модель магнитного туннельного перехода для систем схемотехнического проектирования

Авторы
 Костров А.И.
 Стемпицкий В.Р.
 Данилюк А.Л.
 Борисенко В.Е.
Год публикации
 2008
УДК
 621.377.6.037

Аннотация
 Разработана макромодель магнитного
туннельного перехода (МТП) на языке смешанного поведенческого проектирования Verilog-AMS, которая является основой для схемотехнического моделирования ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления (MRAM). Приведены результаты тестирования модели в системе сквозного проектирования Cadence Design Environment с использованием программы Spectre 5.1.41.
Ключевые слова
 Магниторезистивная память, спинтроника, магнитный туннельный переход, электрическая модель, эквивалентная схема, Verilog-AMS
Ссылка на статью
 Костров А.И., Стемпицкий В.Р., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е. Модель магнитного туннельного перехода для систем схемотехнического проектирования // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 77-80.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2008/10.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН