Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Новая модель порогового напряжения коротко-канального SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата

Авторы
 Буниатян В.В.
 Айрапетян В.М.
 Арутюнян В.М.
 Тамразян А.А.
Год публикации
 2008
УДК
 621.382.32

Аннотация
 Проведено теоретическое исследование зависимости порогового напряжения от короткоканального SiC МОП транзистора с учетом того, что примеси в канале транзистора являются глубокими, а в
запрещенной зоне присутствуют центры захвата для
электронов. Учтен фактор влияния от присутствия поверхностного состояния и двухмерного распределения потенциала под затвором. Предложена новая аналитическая модель расчета порогового напряжения транзистора с субмикронным каналом.
Ключевые слова
 короткоканальный SiC МОП транзистор, пороговое напряжение, глубокие легирирующие примеси, центры захвата
Ссылка на статью
 Буниатян В.В., Айрапетян В.М., Арутюнян В.М., Тамразян А.А. Новая модель порогового напряжения коротко-канального SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 225-230.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2008/39.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН