Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора

Авторы
 Петросянц К.О.
 Торговников Р.А.
Год публикации
 2008
УДК
 621.38

Аннотация
 в работе изложены особенности моделирования SiGe:C гетеропереходных биполярных транзисторов. Методом приборно-технологического моделирования исследованы зависимости граничной частоты fT
и напряжения пробоя BVcbo коллекторного перехода
SiGe:C ГБТ от концентрации углерода в базе.
Ключевые слова
 моделирование SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора
Ссылка на статью
 Петросянц К.О., Торговников Р.А. Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 231-234.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2008/40.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН