Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Использование САПР TCAD в проектировании планарных мощных МОП-транзисторов, имеющих повышенное пробивное напряжение в закрытом состоянии

Авторы
 Королев М.А.
 Красюков А.Ю.
Год публикации
 2005
УДК
 621.38

Аннотация
 Создана упрощенная параметризованная модель для проведения начального этапа расчетной оптимизации планарного мощного МОП–транзистора с целью увеличения его пробивного напряжения.
Ключевые слова
 САПР TCAD, планарные мощные МОП-транзисторы.
Ссылка на статью
 Королев М.А., Красюков А.Ю. Использование САПР TCAD в проектировании планарных мощных МОП-транзисторов, имеющих повышенное пробивное напряжение в закрытом состоянии // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2005. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2005. С. 159-164.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2005/23.doc

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН