Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Исследование характеристик искусственной индуктивности на МОП транзисторах

Авторы
 Буниатян В.В.
 Траваджян Г.М.
 Траваджян Л.М.
Год публикации
 2008
УДК
 621.38

Аннотация
 Рассмотрена схема реализации искусственной индуктивности на МОП транзисторах. Определены условия возникновения режима отрицательного
динамического активного сопротивления. Исследованы
зависимости величины отрицательного эквивалентного
сопротивления от коэффициента усиления операционного усилителя, а также от параметров МОП транзистора. Используя результаты исследования на основе предложенной схемы, может быть реализован режим генерации колебаний.
Ключевые слова
 искусственная индуктивность
Ссылка на статью
 Буниатян В.В., Траваджян Г.М., Траваджян Л.М. Исследование характеристик искусственной индуктивности на МОП транзисторах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 390-393.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2008/72.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН