Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Приборно-технологическое моделирование SiGe биполярных и МОП транзисторных структур СБИС

Авторы
 Торговников Р.А.
Год публикации
 2005
УДК
 621.38

Аннотация
 В настоящей работе реализована передовая методика приборно-технологического проектирования SiGe БиКМОП приборов, используемая компанией IBM. С помощью средств САПР ISE-TCAD проведено моделирование современных биполярных гетеропереходных транзисторов (SiGe ГБТ) и МОП-транзисторов с Si/SiGe гетеропереходным каналом (SiGe ГМОПТ). Исследовались зависимости основных параметров транзисторов: для ГБТ – коэффициента усиления по току и граничной частоты fT, для ГМОПТ – входных gm и выходных gds проводимостей, пороговых напряжений, граничной частоты от доли x германия и профиля его распределения в рабочих областях приборов, а также геометрических размеров структуры транзисторов. По результатам расчета совокупности статических и динамических характеристик SiGe ГБТ и ГМОПТ проводилась экстракция параметров их схемотехнических моделей для программы SPICE.
Ключевые слова
 Приборно-технологическое моделирование
Ссылка на статью
 Торговников Р.А. Приборно-технологическое моделирование SiGe биполярных и МОП транзисторных структур СБИС // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2005. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2005. С. 173-178.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2005/25.doc

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН