Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Разработка оптимальной конструкции датчика магнитного поля на основе латерального магнитотранзистора с помощью средств приборно-технологического моделирования

Авторы
 Козлов А.В.
 Парменов Ю.А.
Год публикации
 2005
УДК
 621.38

Аннотация
 В докладе представлены результаты исследования влияния скорости поверхностной рекомбинации на величину и знак относительной магнитной чувствительности двухколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора, сформированного в подложке.
Ключевые слова
 датчик магнитного поля, латеральный магнитотранзистор, средства приборно-технологического моделирования
Ссылка на статью
 Козлов А.В., Парменов Ю.А. Разработка оптимальной конструкции датчика магнитного поля на основе латерального магнитотранзистора с помощью средств приборно-технологического моделирования // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2005. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2005. С. 179-184.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2005/26.doc

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН