Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Оптимизация технологических режимов изготовления биполярных гетеротранзисторов  

Авторы
 Панкратов Е.Л.
Год публикации
 2010
УДК
 53.01, 53.043

Аннотация
 В данной работе рассматривается возможность уменьшения глубины залегания сформированных диффузией в полупроводниковой гетероструктуре P-N-переходов, входящих в состав биполярного транзистора. Показано, что для формирования P-N-переходов с требуемой глубиной необходимо введение примесей в оптимальные моменты времени.
Ключевые слова
 Формирование p-n-переходов диффузией; гетероструктуры; оптимизация отжига примеси
Ссылка на статью
 Панкратов Е.Л. Оптимизация технологических режимов изготовления биполярных гетеротранзисторов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 662-665.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-24-54432.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН