Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Способ повышения стабильности нуля аналоговых микросхем с высокоимпедансным узлом в условиях температурных и радиационных воздействий  

Авторы
 Прокопенко Н.Н.
 Серебряков А.И.
 Будяков П.С.
Год публикации
 2010
УДК
 621.37

Аннотация
 Предлагается концепция синтеза аналоговых микросхем с малым напряжением смещения нуля при радиационных и температурных изменениях β транзисторов.
Ключевые слова
 радиация, напряжение смещения нуля, операционный усилитель, стабилизатор напряжения, аналоговая микросхема
Ссылка на статью
 Прокопенко Н.Н., Серебряков А.И., Будяков П.С. Способ повышения стабильности нуля аналоговых микросхем с высокоимпедансным узлом в условиях температурных и радиационных воздействий // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 295-300.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-220-76763.pdf

Copyright © 2009-2019 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН