Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Динамическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления  

Авторы
 Костров А.И.
 Данилюк А.Л.
 Стемпицкий В.Р.
 Борисенко В.Е.
Год публикации
 2010
УДК
 621.377.6.037

Аннотация
 Разработана динамическая поведенческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. Модель реализует магнитную гистерезисную и временную характеристики на основе уравнения Ландау-Лифшица-Гильберта. Применение модели продемонстрировано для элемента памяти MRAM нового поколения в интегральном исполнении на кремнии. Рассчитаны переходные и вольт-амперные характеристики ячейки памяти для различных значений толщины туннельного диэлектрика, показана динамика угла намагниченности свободного ферромагнитного слоя в зависимости от тока, протекающего в шинах записи. Рассчитана величина туннельного магнитосопротивления, задержка переключения состояний ячейки памяти и максимальная рабочая частота.
Ключевые слова
 Магниторезистивная память, спинтроника, магнитный туннельный переход, моделирование, эквивалентная схема
Ссылка на статью
 Костров А.И., Данилюк А.Л., Стемпицкий В.Р., Борисенко В.Е. Динамическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 144-149.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-181-92851.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН