Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной частотой 10 ГГц и более  

Авторы
 Дроздов Д.Г.
 Савченко Е.М.
 Зубков А.М.
Год публикации
 2010
УДК
 621.382.3

Аннотация
 В статье рассматриваются результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии, обеспечивающей граничную частоту транзисторов 10 ГГц и пробивное напряжение Vce=12 В. Технология изготовления включает в себя использование двух слоев поликремния, технологию самосовмещения, а также комбинированную изоляцию элементов микросхемы. Моделирование проводится с помощью программного комплекса Sentaurus TCAD компании Synopsys.
Ключевые слова
 ИМС, npn- и pnp-транзисторы, гранич-
ная частота, САПР TCAD.
Ссылка на статью
 Дроздов Д.Г., Савченко Е.М., Зубков А.М. Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной частотой 10 ГГц и более // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 66-69.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-216-85882.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН