Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Особенности радиационных испытаний аналоговых микросхем  

Авторы
 Дворников О.В.
 Чеховский В.А.
Год публикации
 2010
УДК
 621.382

Аннотация
 Рассмотрены схемы включения и выбор входного сигнала аналоговых микросхем при радиационных испытаниях, предложены критерии оценки суммарного изменения параметров при радиационном воздействии. Сформулирована последовательность работ при радиационных испытаниях и описана блок схема испытательной установки, особое внимание уделено регистрации одиночных событий.
Ключевые слова
 Радиационная стойкость, дистанционное измерение параметров, аналоговые микросхемы, одиночные события, кратковременный сбой.
Ссылка на статью
 Дворников О.В., Чеховский В.А. Особенности радиационных испытаний аналоговых микросхем // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 289-294.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-326-11403.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН