Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Радиационно-стойкие аналоговые интегральные схемы  

Авторы
 Дворников О.В.
 Чеховский В.А.
 Дятлов В.Л.
 Богатырев Ю.В.
 Ластовский С.Б.
Год публикации
 2012
УДК
 621.382

Аннотация
 Рассмотрено влияние гамма-излучения 60Co и потока электронов с энергией 4 МэВ на статические и динамические характеристики трансрезистивного усилителя и компаратора напряжения, реализованных на базовом матричном кристалле типа “АБМК 1-3” с учетом сформулированных правил проектирования радиационно-стойких аналоговых интегральных схем (ИС). При поглощенной дозе D = 5 Мрад и интегральном потоке электронов FE = 7∙1015 эл./см2 входной ток компаратора возрос, соответственно, на 25 и 80 %, остальные параметры ИС: коэффициент преобразования, длительность фронта нарастания и спада трансрезистивного усилителя, задержка переключения, длительность фронта нарастания и спада, выходной ток компаратора - изменились незначительно.
Ключевые слова
 радиационная стойкость, гамма-излучение, интегральный поток электронов, компаратор, трансрезистивный усилитель, аналоговые интегральные схемы.
Ссылка на статью
 Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б. Радиационно-стойкие аналоговые интегральные схемы // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 280-283.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D14.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН