Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Моделирование сбоеустойчивости 65 нм шеститранзисторных КМОП ячеек памяти к локальному воздействию импульса тока  

Авторы
 Стенин В.Я.
 Степанов П.В.
Год публикации
 2012
УДК
 621.382+621.396.6

Аннотация
 Определены характеристики чувствительности ячеек памяти с разными размерами транзисторов для проектной нормы 65 нм. Воздействие отдельной ядерной частицы моделировалось импульсом тока с постоянными времени нарастания 10 пс и спада 30 пс. Установлены пределы критических значений амплитуд импульсов тока IФ.М.КР и критических зарядов QКР для ячеек памяти в режимах записи, хранения и чтения.
Ключевые слова
 КМОП ячейка памяти; локальный импульс тока; критическая амплитуда тока; критический заряд.
Ссылка на статью
 Стенин В.Я., Степанов П.В. Моделирование сбоеустойчивости 65 нм шеститранзисторных КМОП ячеек памяти к локальному воздействию импульса тока // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 419-422.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D34.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН