Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Автономные параметры транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3 в условиях радиационных и температурных воздействий  

Авторы
 Прокопенко Н.Н.
 Будяков П.С.
 Серебряков А.И.
Год публикации
 2012
УДК
 621.382

Аннотация
 Исследуются режимная, радиационная и температурная зависимость автономных параметров транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3. Приводятся аппроксимирующие функции, позволяющие количественно оценить влияние внешних воздействий на нулевой уровень и его дрейф аналоговых микросхем. Показаны направления практического использования моделей транзисторов при синтезе прецизионных дифференциальных каскадов.
Ключевые слова
 аналоговые микросхемы, теория автономного многополюсника, радиационное и температурное воздей-ствия, модели транзисторов, прецизионные дифференциальные усилители
Ссылка на статью
 Прокопенко Н.Н., Будяков П.С., Серебряков А.И. Автономные параметры транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3 в условиях радиационных и температурных воздействий // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 294-297.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D72.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН