Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Реализация СВЧ ОУ в ограниченном БиКМОП базисе  

Авторы
 Крутчинский С.Г.
 Жебрун Е.А.
Год публикации
 2012
УДК
 621.375

Аннотация
 На базе функционально-топологических принципов собственной и взаимной компенсации влияния малосигнальных параметров полевых и биполярных транзисторов предложен набор динамических нагрузок на МОП транзисторах и принципиальные схемы однокаскадных ОУ. Отличительной особенностью схем является равенство вкладов p-МОП и n-p-n транзистора с гетеропереходом. Приводятся результаты моделирования ОУ на базе компонентов технологического процесса SGB25VD. Показаны преимущества схемотехнических решений.
Ключевые слова
 операционные усилители, СФ блоки, собственная и взаимная компенсация, параметрическая чувствительность, компенсирующие контуры обратных связей.
Ссылка на статью
 Крутчинский С.Г., Жебрун Е.А. Реализация СВЧ ОУ в ограниченном БиКМОП базисе // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 308-313.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D73.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН