Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Особенности расчёта приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN в САПР приборно-технологического моделирования  

Авторы
 Дроздов Д.Г.
 Савченко Е.М.
 Сиомко В.О.
Год публикации
 2012
УДК
 621.382.32

Аннотация
 В статье рассматриваются особенности расчёта гетероструктур AlGaN/GaN и приборов на их основе в САПР приборно-технологического моделирования. Представлены методика расчёта, результаты измерений транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, проведено сопоставление расчётных и экспериментальных данных.
Ключевые слова
 AlGaN/GaN, HEMT, САПР TCAD
Ссылка на статью
 Дроздов Д.Г., Савченко Е.М., Сиомко В.О. Особенности расчёта приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN в САПР приборно-технологического моделирования // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 213-216.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D98.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН