Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Модель учета рельефа границы раздела Si/SiO2 наноразмерного МДП-транзистора в среде TCAD Sentaurus  

Авторы
 Артамонова Е.А.
 Голишников А.А.
 Крупкина Т.Ю.
 Родионов Д.В.
 Чаплыгин Ю.А.
Год публикации
 2012
УДК
 621.3.049.77.001.63

Аннотация
 Рассмотрены эффекты, связанные с атомным рельефом на границе раздела кремний – подзатворный окисел. Проведен анализ составляющей подвижности, связанной с рассеянием на рельефе границы раздела Si/SiO2 в наноразмерном МДП-транзисторе. Рассмотрены особенности моделирования таких транзисторов с учетом влияния шероховатости границы раздела Si/SiO2 в среде TCAD Synopsys.
Ключевые слова
 приборно-технологическое моделирование, TCAD, граница раздела Si/SiO2, МДП - транзистор, атомистические эффекты, моделирование подвижности носителей.
Ссылка на статью
 Артамонова Е.А., Голишников А.А., Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В., Чаплыгин Ю.А. Модель учета рельефа границы раздела Si/SiO2 наноразмерного МДП-транзистора в среде TCAD Sentaurus // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 199-202.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D102.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН