Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Исследование влияния ионизирующих излучений на характеристики гетероструктурных полевых транзисторов на нитриде галлия  

Авторы
 Громов Д.В.
 Матвеев Ю.А.
 Назарова Г.Н.
Год публикации
 2012
УДК
 621.382

Аннотация
 Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ гетероструктурных полевых транзисторах на основе нитрида галлия при воздействии ионизирующих излучений. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN транзисторов.
Ключевые слова
 нитрид галлия, ионизирующее излучение, наногетероструктуры, двумерный электронный газ, СВЧ элементная база.
Ссылка на статью
 Громов Д.В., Матвеев Ю.А., Назарова Г.Н. Исследование влияния ионизирующих излучений на характеристики гетероструктурных полевых транзисторов на нитриде галлия // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 598-603.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D120.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН