Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Модель расчета I-V характеристик наноразмерного SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата  

Авторы
 Буниатян В.В.
 Тамразян А.А.
Год публикации
 2012
УДК
 621.382.32

Аннотация
 Проведено теоретическое исследование зависимости стокового тока наноразмерного SiC МОП транзистора с учетом того, что примеси в канале транзистора являются глубокими, а в запрещенной зоне присутствуют центры захвата для электронов. Учтены зависимости подвижности носителей от температуры, электрического поля и концентрации примесей. Также учтены присутствие поверхностных состояний, двухмерное распределение потенциала под затвором и учтена зависимость порогового напряжения от длины и ширины канала. Предложена новая аналитическая модель расчета стокового тока транзистора с субмикронным каналом.
Ключевые слова
 карбид кремния (SiC), узко и короткоканальный МОП транзистор, I-V характеристики, подвижность носителей, глубокие легирирующие примеси, центры захвата.
Ссылка на статью
 Буниатян В.В., Тамразян А.А. Модель расчета I-V характеристик наноразмерного SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 181-186.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D139.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН