Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Оптимизация напряжения пробоя в IGBT структуре по ее конструктивным и технологическим параметрам  

Авторы
 Ловшенко И.Ю.
 Нелаев В.В.
 Шелибак И.М.
 Турцевич А.С.
Год публикации
 2012
УДК
 519.248

Аннотация
 Напряжение пробоя в биполярном транзисторе как элементе высоковольтной IGBT структуры в решающей степени определяется распределением напряженности электрического поля вблизи боковой части коллекторного p–n–перехода. Это распределение зависит от напряжения, приложенного к p–n–переходу, распределения области пространственного заряда и концентрации примеси с обеих сторон p–n–перехода. Использование технологии охранных колец и полевых обкладок позволяет изменить распределение напряженности электрического поля и, следовательно, связанное с ним напряжение пробоя. В работе исследовано влияние конструктивных и технологических параметров IGBT структуры на напряжение пробоя.
Ключевые слова
 Биполярный транзистор с изолированным затвором, IGBT структура, конструкция, технология изготовления, вольт-амперные характеристики, напряжение пробоя, оптимизация.
Ссылка на статью
 Ловшенко И.Ю., Нелаев В.В., Шелибак И.М., Турцевич А.С. Оптимизация напряжения пробоя в IGBT структуре по ее конструктивным и технологическим параметрам // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 203-206.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D158.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН