Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Особенности применения модели VBIC при проектировании ИМС на SiGe биполярных транзисторах  

Авторы
 Чаплыгин Ю.А.
 Адамов Ю.Ф.
 Тимошенков В.П.
Год публикации
 2014
УДК
 УДК 621.385

Аннотация
 В работе рассмотрены особенности применения модели VBIC для SiGe гетеропереходного биполярного транзистора. Приведено сравнение моделирования и экспериментальных результатов статических характеристик. Исследовано влияние сопротивление со стороны базы на ВАХ ГБТ в схеме с общим эмиттером.
Ключевые слова
 гетеропереходные биполярные транзисторы (ГБТ); кремний-германий; БиКМОП, электростатическая защита
Ссылка на статью
 Чаплыгин Ю.А., Адамов Ю.Ф., Тимошенков В.П. Особенности применения модели VBIC при проектировании ИМС на SiGe биполярных транзисторах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть III. С. 93-98.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D018.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН