Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Проектирование базовых элементов памяти на основе ячеек DICE для сбоеустойчивых КМОП 28 нм ОЗУ  

Авторы
 Стенин В.Я.
 Степанов П.В.
Год публикации
 2014
УДК
 621.382+539.1.043

Аннотация
 Проведены моделирование, проектирование и анализ параметров топологических вариантов базовых элементов памяти с разным взаимным расположением двух групп транзисторов КМОП 28 нм ячеек памяти DICE с целью повышения устойчивости к воздействиям одиночных ядерных частиц. Увеличены расстояния между чувствительными парами транзисторов базовых элементов памяти, что снижает чувствительность ячеек памяти DICE к сбою состояний из-за разделения между транзисторами заряда с трека частицы.
Ключевые слова
 ячейка памяти, ОЗУ, моделирование, одиночная ядерная частица, разделение заряда, топология.
Ссылка на статью
 Стенин В.Я., Степанов П.В. Проектирование базовых элементов памяти на основе ячеек DICE для сбоеустойчивых КМОП 28 нм ОЗУ // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть3. С. 163-166.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D014.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН