Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Разработка и моделирование субмикронных PDCFET транзисторов  

Авторы
 Краснюк А.А.
 Орлов О.М.
 Имаметдинов Э.
 Марьина Е.
Год публикации
 2014
УДК
 621.382.323

Аннотация
 Предложена модель для характеризации субмикронных полевых транзисторов с периодически легированным каналом PDCFET. Показано улучшение характеристик за счет геометрического фактора уменьшения эффективной длины.
Ключевые слова
 МДП транзисторы, периодически легированный канал, TCAD – модель, самоформирующиеся наноструктуры.
Ссылка на статью
 Краснюк А.А., Орлов О.М., Имаметдинов Э., Марьина Е. Разработка и моделирование субмикронных PDCFET транзисторов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть II. С. 155-158.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D024.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН