Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Разработка методики анализа дефектности подзатворного диэлектрика на тестовых структурах в составе пластин  

Авторы
 Сивченко А.С.
Год публикации
 2014
УДК
 621.3.049.77

Аннотация
 В статье представлена методика определения дефектности подзатворного диэлектрика в МОП транзисторах. Основой предложенной методики являются специально разработанные тестовые структуры, алгоритм измерения тестовых структур для определения и контроля дефектности, а также автоматизированная программа измерений позволяющая проводить контроль дефектности в автоматическом режиме
Ключевые слова
 дефектность подзатворного диэлектрика, МОП транзистор, надёжность, контроль параметров технологического процесса, WLR, TDDB
Ссылка на статью
 Сивченко А.С. Разработка методики анализа дефектности подзатворного диэлектрика на тестовых структурах в составе пластин // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть II. С. 145-150.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D051.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН