Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Влияние угла падения тяжелых заряженных частиц и записанного кода на кратность сбоев в микросхемах СОЗУ  

Авторы
 Боруздина А.Б.
 Уланова А.В.
 Горбунов М.С.
 Чумаков А.И.
Год публикации
 2014
УДК
 621.382

Аннотация
 В статье представлены результаты исследования влияния угла падения тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) относительно нормали к поверхности кристалла на кратность сбоев в ячейках памяти СОЗУ 6Т типа, изготовленных по технологии 65 нм. Проводилось сравнение данных о сбоеустойчивости, полученных при облучении под углом и при нормальном падении тяжелых заряженных частиц при близких значениях эффективных линейных потерь энергии. В результате установлено, что с ростом угла воздействия ТЗЧ возрастает как кратность сбоев, так и доля многократных сбоев от общего числа событий. При проведении исследования также наблюдалось влияние записанной информации на кратность сбоев в накопителе, построенном на ячейках 6Т типа.
Ключевые слова
 тяжелая заряженная частица (ТЗЧ), многократные сбои (МС), СОЗУ
Ссылка на статью
 Боруздина А.Б., Уланова А.В., Горбунов М.С., Чумаков А.И. Влияние угла падения тяжелых заряженных частиц и записанного кода на кратность сбоев в микросхемах СОЗУ // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 3. С. 181-184.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D099.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН