Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Унифицированный подход к проведению испытаний высокоскоростных цифровых микросхем на стойкость к воздействию ТЗЧ  

Авторы
 Анашин В.С.
 Руткевич А.В.
 Воронков Д.И.
 Козюков А.
 Королев В.С.
 Сысоев И.Ю.
Год публикации
 2014
УДК
 004.3’12

Аннотация
 В статье представлен единый подход к радиационной обеспечения твердости интегральных схем. Эта техника должна исключать длинные эффекты линии и упростить подготовку тестирования. Новая аппаратная платформа была разработана для этой цели. Он был использован для излучения обеспечения твердости двух интегральных схем. Результаты тестирования были представлены в последней части статьи.
Ключевые слова
 СБИС, испытания, тяжёлые заряженные частицы, аппаратная платформа, исследование, микросхема, оснастка, методика
Ссылка на статью
 Анашин В.С., Руткевич А.В., Воронков Д.И., Козюков А., Королев В.С., Сысоев И.Ю. Унифицированный подход к проведению испытаний высокоскоростных цифровых микросхем на стойкость к воздействию ТЗЧ // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть3. С. 185-188.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D109.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН