Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Разработка монолитных интегральных схем приемного тракта на основе гетеропереходных транзисторов для диапазона частот 57-64 ГГц  

Авторы
 Копцев Д.А.
 Дмитриев В.А.
Год публикации
 2014
УДК
 621.37

Аннотация
 Рассмотрены схемы построения приемных трактов устройств, работающих в диапазоне 57 – 64 ГГц. Представлены 2 блока приемника для 60 ГГц WLAN приложений: малошумящий усилитель и понижающий смеситель c асимметричными входами и выходами. Устройства спроектированы по технологии SiGe:C БиКМОП 0.25 мкм, содержащей npn гетеропереходные транзисторы, характеризуемые fT = 190 ГГц, fMAX = 190 ГГц. МШУ построен по 4-х каскадной архитектуре, коэффициент усиления в полосе частот не менее 21 дБ, коэффициент шума не более 7.1 дБ. Напряжение питания 1.5 В, потребляемый ток не превышает 12,5 мА. Для согласования импедансов использовались интегральные CPW линии, расчет которых проводился с помощью планарного электромагнитного 3D моделирования. Понижающий смеситель построен на основе ячейки Гильберта со встроенными активными балунами. Смеситель характеризуется коэффициентом преобразования 15.3 дБ, коэффициентом шума 16,1 дБ. В состав микросхемы смесителя так же входит усилитель промежуточной частоты и режекторный фильтр представляющий собой CPW линию длиной λ/4. Потребляемый ток составляет 52 мА, при напряжении питания 2 В. Площади кристаллов МШУ и смесителя составляют 0,42 и 0,6 мм2 соответственно, включая контактные площадки.
Ключевые слова
 малошумящий усилитель, смеситель, 60 ГГц, SiGe, CPW, БиКМОП, приемный тракт
Ссылка на статью
 Копцев Д.А., Дмитриев В.А. Разработка монолитных интегральных схем приемного тракта на основе гетеропереходных транзисторов для диапазона частот 57-64 ГГц // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть III. С. 85-88.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D136.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН