Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Настройка численной модели для исследования транзисторных МОП-структур КНИ-типа с проектными нормами 180 нм в среде TCAD  

Авторы
 Артамонова Е.А.
 Ключников А.С.
 Красюков А.Ю.
 Крупкина Т.Ю.
 Шелепин Н.А.
Год публикации
 2014
УДК
 621.382.323

Аннотация
 Работа посвящена настройке численной модели для исследования МОП-транзисторов с проектными нормами 180 нм, реализованных на подложке кремний-на-изоляторе (КНИ). Выбор параметров модели осуществлялся на основе сравнения расчетных и экспериментальных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) и вольт-амперных характеристик (ВАХ) транзисторов
Ключевые слова
 МДП-структура, численное моделирование, кремний-на-изоляторе (КНИ), TCAD
Ссылка на статью
 Артамонова Е.А., Ключников А.С., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Шелепин Н.А. Настройка численной модели для исследования транзисторных МОП-структур КНИ-типа с проектными нормами 180 нм в среде TCAD // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть II. С. 151-154.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D160.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН