Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Оптимизация структурной схемы и разработка на ее основе МИС активного аттенюатора по SiGe технологии  

Авторы
 Мухин И.И.
 Репин В.В.
Год публикации
 2014
УДК
 621.382.2

Аннотация
 В статье рассматриваются различные варианты построения активных аттенюаторов, выполненных в монолитном исполнении. Приводятся данные о разработанной SiGe МИС активного аттенюатора L- и S-диапазонов. Разработанная МИС имеет 16 выводов, рассеиваемую мощность 0,235 Вт и диапазон регулировки коэффициента передачи 31 дБ. ривеПдены результаты моделирования, измерения и сравнительной оценки.
Ключевые слова
 дискретный аттенюатор, СВЧ полупроводниковая интегральная схема, SPDT переключатель
Ссылка на статью
 Мухин И.И., Репин В.В. Оптимизация структурной схемы и разработка на ее основе МИС активного аттенюатора по SiGe технологии // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 3. С. 39-42.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D169.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН