Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Методы логико-временного анализа библиотечных элементов и блоков СБИС для перспективных технологий с вертикальным затвором транзистора  

Авторы
 Гаврилов С.В.
 Жукова Т.Д.
 Рыжова Д.И.
Год публикации
 2016
УДК
 621.3.049.771.14

Аннотация
 С уменьшением технологических размеров базовых элементов деградация электрических параметров транзисторов становится все более ощутимой, так как возрастает влияние негативных короткоканальных эффектов в транзисторах. Это, в свою очередь, приводит к необходимости разработки альтернативных технологических решений, которые лучше масштабируются и совместимы с производственным процессом КМОП технологии. Одним из перспективных решений в этой области является КМОП технология с трехмерным затвором транзистора. В зарубежной литературе используется термин FinFET (Fin Field Effect Transistor – полевой транзистор с трехмерной структурой в форме плавника). Преимуществами этой технологии являются низкая чувствительность к эффектам короткого канала транзистора и низкие подпороговые утечки. На сегодняшний день отсутствуют средства САПР для синтеза топологии схем на основе FinFET структур, так как при переходе к технологиям 22 нм и ниже значительно увеличивается число конструкторско-технологических правил и ограничений. В данной работе предпринята попытка решения проблемы возрастающего числа норм проектирования за счет использования регулярных структур в слоях топологии.
Ключевые слова
 САПР (системы автоматизированного проектирования), SP-граф, сложно-функциональный блок (СФ-блок), FinFET транзисторы (транзисторы с трехмерной структурой в форме плавника), КМОП технология.
Ссылка на статью
 Гаврилов С.В., Жукова Т.Д., Рыжова Д.И. Методы логико-временного анализа библиотечных элементов и блоков СБИС для перспективных технологий с вертикальным затвором транзистора // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2016. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2016. Часть I. С. 56-63.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D006.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН