Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

КМОП 65-нм статические ОЗУ на ячейках памяти DICE с разнесенными на кристалле группами транзисторов  

Авторы
 Стенин В.Я.
 Катунин Ю.В.
 Степанов П.В.
Год публикации
 2016
УДК
 621.382+621.396.6

Аннотация
 Новый вариант ячеек памяти DICE на основе двух групп транзисторов, разнесенных на кристалле (Spaced Transistor Groups DICE – STG DICE), использован в сбоеустойчивых 65-ни КМОП статических ОЗУ. Блоки кэш и многопортовых ОЗУ изготовлены в составе системы на кристалле, исследованы с использованием локального лазерного облучения и показали высокую сбоеустойчивость.
Ключевые слова
 ячейка памяти, помехоустойчивость, ОЗУ, топология, одиночная ядерная частица, лазерное излучение
Ссылка на статью
 Стенин В.Я., Катунин Ю.В., Степанов П.В. КМОП 65-нм статические ОЗУ на ячейках памяти DICE с разнесенными на кристалле группами транзисторов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 127-132.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D059.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН