Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Особенности переключения намагниченности в ячейках памяти MRAM с планарной анизотропией  

Авторы
 Островская Н.В.
 Скиданов В.А.
 Юсипова Ю.А.
Год публикации
 2016
УДК
 538.955+51.74

Аннотация
 Построена математическая модель магнитного вентиля c продольной анизотропией, лежащего в основе структуры ячейки памяти MRAM. Проведен анализ устойчивости основных состояний равновесия. Найдены дополнительные состояния равновесия и новые типы динамики намагниченности под влиянием внешнего магнитного поля и спин-поляризованного тока инжекции.
Ключевые слова
 память MRAM, планарная анизотропия, намагниченность, свободный слой, закрепленный слой, уравнение Ландау–Лифшица–Гильберта, переключение намагниченности.
Ссылка на статью
 Островская Н.В., Скиданов В.А., Юсипова Ю.А. Особенности переключения намагниченности в ячейках памяти MRAM с планарной анизотропией // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2016. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2016. Часть IV. С. 199-206.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D037.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН