Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Сравнительный анализ элементов памяти и усилителей считывания для высокотемпературных СБИС ОЗУ  

Авторы
 Киселева А.А.
 Краснюк А.А.
 Трепалин А.П.
Год публикации
 2016
УДК
 621.382+621.396.6

Аннотация
 Фундаментальной научной проблемой является определение физико-технологических и конструктивно-схемотехнических решений и методов проектирования для обеспечения функциональной работоспособности интегральных элементов сверхбольших интегральных схем памяти при экстремально высоких уровнях температур и внешних деструктивных факторов. Элементы памяти и усилители считывания (УС) являются одними из наиболее критичных схем в составе КМОП СБИС ОЗУ. Их производительность и помехоустойчивость определяют как время доступа к памяти и производительность работы ОЗУ, так и общую функциональную работоспособность при критических температурных режимах работы. Проведены проектирование и анализ параметров топологических вариантов базовых элементов памяти и усилителей считывания СБИС ОЗУ, сохраняющих работоспособность вплоть до 300оС.
Ключевые слова
 усилитель считывания, СОЗУ, моделирование, высокотемпературная электроника, топология ИС.
Ссылка на статью
 Киселева А.А., Краснюк А.А., Трепалин А.П. Сравнительный анализ элементов памяти и усилителей считывания для высокотемпературных СБИС ОЗУ // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. №3. С. 87-92.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D058.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН