Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Методика выбора параметров логической цепи в нанометровых КМОП СБИС с повышенной сбоеустойчивостью  

Авторы
 Герасимов Ю.М.
 Григорьев Н.Г.
 Кобыляцкий А.В.
Год публикации
 2016
УДК
 621.382

Аннотация
 На основе упрощенной математической модели возникновения одиночного импульса напряжения (ОИН) в логической цепи представлена методика выбора минимальных размеров транзисторов в логической цепи при заданном уровне стойкости к тяжелым частицам, инвариантная к технологическому процессу. Для проектных норм уровня 0,18/0,13/0,09 мкм проведен детальный анализ влияния различных параметров логической цепи на величину критического заряда возникновения ОИН в этой цепи. Даны рекомендации по проектированию логических цепей с большими коэффициентами разветвления и нагрузки по выходу с использованием методов радиационно-стойкого проектирования (РСП).
Ключевые слова
 логическая цепь, инвертор, КМОП СБИС, тяжелая частица, ОИН, радиационно-стойкое проектирование.
Ссылка на статью
 Герасимов Ю.М., Григорьев Н.Г., Кобыляцкий А.В. Методика выбора параметров логической цепи в нанометровых КМОП СБИС с повышенной сбоеустойчивостью // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. №4. С. 172-177.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D087.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН